CP118

该产品采用H桥电路结构设计，内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过设定值时，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度时，电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损坏。逻辑控制电源VCC与功率电源VDD内部完全独立，实际使用中应分开布线，禁止将VCC与VDD直接接到一起，以防止VDD高压对电路VCC端造成损伤。在电子锁等应用中，当逻辑输入信号INA\INB的高电平电压大于2.4V时，VCC可以悬空。

特性:

       低待机电流(小于0.1uA)

      工作电压范围：2V-8V

      持续输出电流：1.3A(VDD=4.5V)

      峰值输出电流：1.5A(VDD=4.5V)低导通内阻—500毫安输出电流时，内阻0.44欧姆较小的输入电流

      逻辑输入INA\INB集成15K对地下拉电阻内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)

      抗静电等级：3KV(HBM)

应用: 

       2-4节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动

       2-5节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动

      1节锂电池供电的马达驱动

      电子锁

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