CP1116H

该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到8V。27℃，VDD=6.5V条件下持续输出电流达到0.8A，峰值输出电流达到1A。该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重**事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到**温度后，才允许重新对功率管进行控制。

特性:

      低待机电流(小于0.1uA)

      低导通内阻MOSFET功率开关管

      采用MOS工艺设计功率管

     100毫安通道功率管内阻0.5欧姆

     500毫安通道功率管内阻0.7欧姆

     内部集成续流二极管—无需外接续流二极管

     超小型封装尺寸:采用SOT23-6封装,含引脚外形尺寸2.92mm*2.8mm。

应用:

      遥控玩具飞机

      尾翼马达驱动

      遥控玩具飞机舵机

      马达驱动玩具

      直流电机驱动数码产品的马达驱动

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